CsPbX3钙钛矿胶体量子点具有荧光量子产率高、发射光谱窄和发光色域广等优点，是新型发光二极管和高清显示的理想材料，从而引起了广泛关注。近年钙钛矿量子点的表面工程、器件工程和晶体结构工程等研究显著提升了量子点发光层的荧光量子产率，以提高发光二极管的效率。然而，对于钙钛矿量子点电学性能的研究还比较少。事实上，发光层内不平衡的电子和空穴注入和传输将显著降低发光二极管的性能。改善量子点的电学性能，实现载流子（电子和空穴）在量子点层的平衡注入与传输，将是进一步提高钙钛矿量子点发光二极管效率的有效途径。

最近田建军教授团队设计了一种苯乙胺辅助合成低缺陷密度CsPbI3量子点的方法。苯乙胺氢碘酸盐创造了富卤素合成环境，有助于减少量子点表面卤素空位数量，从而使其能带边缘电子态分布变窄，改善电子传导性能。量子点表面的苯乙胺配体可作为电子吸收体，进而可逆地吸引和释放电子，这一机制能够增强量子点中电子的离域，缓解器件中不平衡电荷注入的负面作用。此外，苯乙胺配体降低了量子点的费米能级，提升空穴注入和传输速率。利用增强的电子离域和改进的电荷输运，CsPbI3量子点发光二极管的最大外量子效率达到15.6%，并且效率滚降得到明显改善。相关结果发表在光学类顶级期刊Advanced Optical Materials（影响因子10.5）（https://doi.org/10.1002/adom.202200189）。