过渡金属-MoS2异质结构兼具过渡金属和二维半导体的优点，可通过体系设计和界面调控，利用二者的耦合效应与协同效应，获得优异的物理、化学性质，研制出具有特定性质和功能的新型纳米器件和结构组件。以往对过渡金属-MoS2异质结构的研究主要集中在MoS2本征面(通常为{0001}晶面)与过渡金属组成异质结构界面。然而，关于MoS2的"{01" "1" ̅"0}"晶面与过渡金属异质结构的界面结构的信息仍然缺乏。

先进功能材料制备与表征团队负责人王荣明教以Pt-MoS2异质结构为模型系统，利用原子分辨的球差矫正透射电子显微镜，研究了MoS2侧面的原子构型对Pt纳米晶体生长和应变分布的调控。定量分析了Pt纳米晶内部的应变分布。

结果表明MoS2侧边缘主要有三个典型的Pt纳米晶生长位点，即Pit、Step和Terrace。Pit限制了Pt纳米晶的生长;拉伸了界面上Pt原子间距。此外，Pit位点可以很好地稳定超小尺寸的Pt纳米晶体。在Step位点中，上述影响显著减轻，因而Pt纳米晶尺寸相对更大。Terrace处，Pt纳米晶有最大的平均尺寸，界面结构的改变也改变了Pt纳米晶内部的应变分布。这些结果证明通过对MoS2原子构型的控制可以调控Pt纳米晶-MoS2异质结构的界面结构与Pt纳米晶的特征尺寸。

该研究工作于2022年9月以“Interface structure and strain controlled Pt nanocrystals grown at side facet of MoS2 with critical size.”为题，发表于Nano Research上（Nano Res. 2022, 15 (9), 8493-8501）。论文第一作者为王荣明教授的博士生朱玉辰，王荣明教授为通讯作者。