3月23日，融合创新研究院求实论坛第四十九讲在主楼353会议室举行。北京计算科学研究中心教授魏苏淮作为主讲嘉宾，应邀为广大师生作题为“第一性原理半导体材料计算的进展与挑战”的学术报告。

魏苏准教授现任北京计算科学研究中心讲座教授、材料与能源研究部主任，国家重点专项首席科学家，国家基金委重大项目负责人，美国物理学会会士 (APS Fellow)，美国材料学会会士 (MRS Fellow)。1981年本科毕业于复旦大学1985年在美国威廉玛丽学院 (College of William and Mary) 取得理学博士学位，1985年-2015年在美国可再生能源国家实验室(NREL)工作，2015年回国前担任NREL理论研究室主任，实验室Fellow。在半导体能带理论、缺陷与合金物理、能源与光电材料设计、计算方法等方面取得了系统的原创性成果。已发表SCI论文550余篇，包括70余篇PRL论文引用大于70000多次，H因子131。

报告会上，魏苏淮教授从密度泛函理论的基础讲起，结合自己的研究工作深入浅出地介绍了这一材料科学中的重要计算方法及其在电子器件、发光材料和能源材料等方面的应用。密度泛函理论是从微观第一性原理出发分析材料物理及化学性质的计算方法，在物理、化学、生物等各个学科领域以及工业、产业界都有广泛的应用，是不可或缺的理论工具。报告中，他系统介绍了与合作者对密度泛函方法的发展，特别是SQS（special quasirandom structures）方法。此方法在计算合金物性上表现优异，是目前行业计算的标准方法，在能源材料的计算与设计方面具有重要意义。与会师生认真聆听了魏苏淮的精彩报告，深感受益匪浅。报告会后魏苏淮教授对现场师生提出的关于金属能级计算和纳米尺度复杂系统的能带结构理论计算等相关问题进行了详细的解答，并展开热烈的讨论。