10月18日下午，北京大学彭海琳教授做客融合创新研究院“求实论坛”第十五讲，在逸夫楼305室作了题为《高迁移率二维材料的制备与界面调控》的学术报告。

彭海琳，北京大学博雅特聘教授。曾获国家杰青、万人计划领军人才、Small青年科学家创新奖、国家自然科学二等奖、教育部青年科学奖、科学探索奖等。主要从事二维材料物理化学研究，在高迁移率二维材料的精准合成、界面调控、制备装备研制和器件应用方面取得进展。发表论文200余篇，含Science和Nature子刊20余篇。

高迁移率二维材料展示出优异的电学、热学、光学和力学性质，在柔性器件、能源转化、功能材料和生物医药等领域具有广阔的应用前景。

彭海琳教授从晶体管的发展过程及前景引入，阐明包括石墨烯在内的高迁移率二维材料是未来电子材料的必然选择，之后详细讲述了CVD方法制备单层石墨烯的制备过程，通过选择Cu衬底取向解决了单层石墨烯制造过程中存在的晶界和褶皱问题，通过一氧化碳刻蚀去除了附着在石墨烯上的杂质，实现了原子级平整的四英寸和六英寸的单晶石墨烯晶片规模化制备，并开发了高性能石墨烯光电器件和超洁净透射电镜载网。此外，彭海琳教授团队率先开发了一类全新超高迁移率二维半导体材料Bi2O2Se，实现了二维单晶晶圆制备，构筑了基于Bi2O2Se的高κ自然氧化物栅介质基高性场效应晶体管和逻辑门，为未来高速电子器件和集成电路的发展提供了一种可能的材料选择。

       在互动环节，彭海琳教授对现场老师同学提出的关于石墨烯制备和转移等方面的问题进行了详细解答，报告在热烈的掌声中圆满结束。